财联社 10 月 31 日电，长鑫科技 10 月 30 日在第三季度业绩交流会中透露，在 4F² 垂直沟道 DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。

此前长鑫曾在学术论坛上介绍 4F² 架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于 4F² 架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。